Сканирующая электронная микроскопия
Исследование порошков, массивных образцов ис пленок (толщиной не менее 1 мкм) электропроводящих материалов. Диэлектрические материалы при исследованиях имеют ограничения. Увеличения от 30 до 100000 крат (разрешающая способность 1 нм).
Определение состава поверхности (глубина 1-10 мкм, локальность 0,05-10 мкм), получение интегральных значений концентрации по различным фазовым выделениям.
Измерения шероховатости и рельефа поверхностей в широких пределах от 0,01 до 100 мкм, что позволяет выполнить исследование характера разрушения (хрупкое-вязкое) образцов (деталей машин и механизмов, испытательных образцов и др.) на основе металлографического изучения изломов.
Качественный и количественный металлографический анализ сплавов, анализ некоторых магнитных и керамических материалов в отраженных и вторичных электронах с использованием различных приемов формирования изображения (работа выхода, магнитный контраст, анализ изображений в рентгеновских лучах и др.).
Определение состава фазовых составляющих методом рентгеновского локального микроанализа (количество образцов для анализа ограничено невысокой производительностью установки с фокусирующим монокристаллом).
Научно-исследовательские направления, которые обеспечивает РЭМ в МАИ:
- Изучение плоских и объемных нано-пористых структур с металлизированными покрытиями, металлических мембран и сит с ультратонкой (наноразмерной) ячеистой структурой;
- Анализ микроструктуры диэлектрических керамик, устойчивых к ионно-плазменному распылению;
- Металлографический анализ спеченных металло-композитных структур для задач радиофизического и антенного оборудования: дисперсность исходных частиц, локальный химический анализ спеченного композита, пористость, фазовые выделения;
- Выявление зон напряжений и анализ текстуры после холодной пластической деформации металлов;
- Анализ структур проводящих керамических материалов, локальный химический анализ поликристаллических и монокристаллических выделений в высокотемпературных сверхпроводниках;
- Изучение явлений вязкого и хрупкого разрушения в металлах и сплавах под действием усталостных разрушающих нагрузок;
- Выявление тонкой магнитной структуры магнитных покрытий и пленок на полупроводниковых подложках;
- Построение плоскостных фигур распределения химических элементов на микроструктурах деформированных металлов и порошковых металлокерамических композитов.
Оборудование: EVO-40 (Karl Zeiss) с приставкой для микроанализа INCA (Oxford).